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BSM 75 GAL 120 DN2
IGBT Power Module
* Single switch with chopper diode at collector * Including fast free-wheeling diodes * Package with insulated metal base plate Type BSM 75 GAL 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 C TC = 80 C Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 C TC = 80 C Power dissipation per IGBT TC = 25 C Chip temperature Storage temperature Thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip case Diode thermal resistance, chip-case,chopper Insulation test voltage, t = 1min. Creepage distance Clearance DIN humidity category, DIN 40 040 IEC climatic category, DIN IEC 68-1 Tj Tstg RthJC RthJCD RTHJCDC Vis Ptot 625 + 150 -40 ... + 125 0.2 0.5 0.36 2500 20 11 F 40 / 125 / 56 sec Vac mm K/W C ICpuls 210 150 W VGE IC 105 75 Symbol VCE VCGR 1200 20 A Values 1200 Unit V VCE IC Package Ordering Code
1200V 105A
HALF BRIDGE GAL 1 C67076-A2011-A70
1
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol min. Static Characteristics Gate threshold voltage VGE = VCE, IC = 2 mA Collector-emitter saturation voltage VGE = 15 V, IC = 75 A, Tj = 25 C VGE = 15 V, IC = 75 A, Tj = 125 C Zero gate voltage collector current VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 C VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 C Gate-emitter leakage current VGE = 20 V, VCE = 0 V AC Characteristics Transconductance VCE = 20 V, IC = 75 A Input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Output capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz Crss 0.3 Coss 0.8 Ciss 5.5 gfs 31 nF S IGES 400 ICES 1 4 1.4 nA VCE(sat) 2.5 3.1 3 3.7 mA VGE(th) 4.5 5.5 6.5 V Values typ. max. Unit
2
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol min. Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 C Turn-on delay time VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 75 A RGon = 15 Rise time VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 75 A RGon = 15 Turn-off delay time VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 75 A RGoff = 15 Fall time VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 75 A RGoff = 15 Free-Wheel Diode Diode forward voltage IF = 75 A, VGE = 0 V, Tj = 25 C IF = 75 A, VGE = 0 V, Tj = 125 C Reverse recovery time IF = 75 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -900 A/s, Tj = 125 C Reverse recovery charge IF = 75 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -900 A/s Tj = 25 C Tj = 125 C 3.2 12 Qrr 0.125 C trr VF 2 1.8 2.5 s V 70 100 tf 450 600 td(off) 70 140 tr 30 60 td(on) ns Values typ. max. Unit
3
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbol min. Values typ. max. Unit
Chopper Diode Chopper diode forward voltage IFC = 100 A, VGE = 0 V, Tj = 25 C IFC = 100 A, VGE = 0 V, Tj = 125 C Reverse recovery time, chopper IFC = 100 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -1000 A/s, Tj = 125 C Reverse recovery charge, chopper IFC = 100 A, VR = -600 V, VGE = 0 V diF/dt = -1000 A/s Tj = 25 C Tj = 125 C 4 14 QrrC 0.125 C trrC VFC 2 1.8 2.5 s V
4
Nov-24-1997
IGBT-Module IGBT-Modules
%60*$/'1 %60*$5'1
Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram
PIN 6 and 7 GAL type only
PIN 4 and 5 GAR type only
GAL type
GAR type
Update of Drawing Sep-21-98
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